Nature子刊:武漢理工大學(xué)首次發(fā)現(xiàn)用于憶阻器的多極反鐵電半導(dǎo)體Cu2Se
日期:2022-01-06
眾所周知,憶阻器的電阻值可以通過電場進(jìn)行調(diào)節(jié),這類材料在未來計算機(jī)架構(gòu)以及大規(guī)模計算領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。隨著這一領(lǐng)域研究的推進(jìn),人們陸續(xù)提出了幾種調(diào)節(jié)機(jī)制來解釋這一現(xiàn)象,但是由于缺乏直接證據(jù),該現(xiàn)象的微觀物理機(jī)制一直都不明確。
近日,武漢理工大學(xué)利用原位透射電子顯微鏡技術(shù)觀測了Cu2Se半導(dǎo)體在電場作用下電阻和取向疇的可逆切換,在施加電場的同時利用透射和衍射成像監(jiān)測微觀結(jié)構(gòu)的原位演變過程,從而提供了阻變特性演變規(guī)律的直接證據(jù)。相關(guān)研究成果以“Electroresistance in multipolar antiferroelectric Cu2Se semiconductor”為題發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊Nature Communications上。博士生白輝和吳勁松教授為本文共同一作,吳勁松教授、蘇賢禮研究員和唐新峰教授為共同通訊作者。
原文鏈接:https://doi.org/10.1038/s41467-021-27531-x
圖1 實驗方法
? 該實驗利用澤攸科技的PicoFemto?原位TEM-STM電學(xué)測量系統(tǒng)在透射電鏡內(nèi)搭建了測試平臺,實驗樣品被制備在半銅環(huán)上并固定在樣品桿一端。進(jìn)入電鏡后,原位桿上的機(jī)械手在納米尺度準(zhǔn)將電極與樣品ZHI定位置對接上并施加電場/電流,同時原位高分辨觀測微觀結(jié)構(gòu)的演變過程。
圖2 微觀結(jié)構(gòu)與物性測量的對應(yīng)關(guān)系
圖3 原子像
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作者:澤攸科技