如何在掃描電鏡中實現(xiàn)高分辨率的斷層和晶體缺陷檢測

在掃描電鏡（SEM）中實現(xiàn)高分辨率的斷層和晶體缺陷檢測通常需要使用一些技術(shù)和儀器。

賦能提升蓄力前行┃2023原位電鏡技術(shù)與應(yīng)用研討會暨澤攸科技用戶交流會圓滿結(jié)束

9月22日~24日，由中科院物理所表面物理國家實驗室、澤攸科技、松山湖材料實驗室聯(lián)合舉辦的“2023原位電鏡技術(shù)與應(yīng)用研討會暨澤攸科技用戶交流會”在廣東惠州成功舉辦。

掃描電鏡中的電子束與樣品相互作用并產(chǎn)生圖像的過程涉及到多種物理和電子學(xué)原理。

掃描電鏡中的冷陰極和熱陰極是產(chǎn)生電子束的兩種不同方式，它們之間有以下主要區(qū)別：

臺式掃描電鏡的數(shù)據(jù)導(dǎo)出和圖像處理方法通常包括以下步驟：

在臺式掃描電鏡中選擇掃描速度和掃描模式取決于您的具體實驗和觀察需求。

掃描電鏡中的電子束與樣品相互作用可能導(dǎo)致多種影響和損傷，這取決于電子束的能量、強(qiáng)度和樣品的性質(zhì)。

掃描電鏡中的電子束產(chǎn)生和控制是關(guān)鍵的操作步驟，它們直接影響到成像的質(zhì)量和分辨率。