在半導體制造中，掃描電鏡（SEM）被廣泛用于檢查芯片表面的缺陷。SEM通過利用電子束和探測器來獲取高分辨率的表面圖像，能夠檢測出微小的缺陷和結(jié)構(gòu)問題。以下是SEM在半導體制造中檢查芯片表面缺陷的一般步驟：

樣品制備： 首先，需要制備半導體芯片的樣品。這可能涉及切割、打磨、清潔等步驟，以獲得平整且適于SEM觀察的樣品表面。

加載樣品： 制備好的樣品被安置在SEM樣品臺上，確保樣品與電子束的相互作用區(qū)域正確對齊。

設置成像參數(shù)： 在SEM中設置適當?shù)某上駞?shù)，包括加速電壓、電子束的聚焦、探測器的選擇等。這些參數(shù)將影響圖像的分辨率、對比度和深度信息。

成像： 將電子束聚焦在芯片表面上，開始成像過程。SEM的高分辨率成像能力允許觀察到微小的缺陷，如晶粒結(jié)構(gòu)、裂紋、顆粒、污染等。

探測器選擇： 不同的探測器可以用于檢測不同類型的缺陷。例如，反射電子探測器（SE）用于獲取表面拓撲信息，而二次電子探測器（BSE）用于獲取材料成分和密度變化。

圖像分析： 獲取SEM圖像后，可以使用圖像分析軟件來識別和測量缺陷。這可能涉及測量尺寸、形狀、分布等。

缺陷分類和定位： 根據(jù)缺陷的類型，可以對其進行分類，并在芯片上標記其位置，以便進一步處理或分析。

數(shù)據(jù)記錄和報告： 將檢測到的缺陷信息記錄下來，生成報告，以便后續(xù)分析和決策。

ZEM15臺式掃描電鏡能譜一體機

以上就是澤攸科技小編分享的在半導體制造中掃描電鏡如何檢查芯片表面的缺陷。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價格請咨詢15756003283(微信同號)。