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掃描電鏡成像中的樣品表面充電問(wèn)題如何解決

日期:2024-03-11

在掃描電鏡(SEM)成像中,樣品表面充電是一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題,可能會(huì)導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降、圖像失真甚至無(wú)法成像。為了解決樣品表面充電問(wèn)題,可以采取以下幾種方法:

導(dǎo)電性涂層:在樣品表面涂覆一層導(dǎo)電性涂層,如金屬薄膜或碳薄膜,可以有效地提高樣品表面的導(dǎo)電性,減少表面充電。導(dǎo)電性涂層可以通過(guò)濺射、真空蒸鍍、噴涂等方法制備。

金屬鍍覆:對(duì)樣品表面進(jìn)行金屬鍍覆,使樣品表面成為導(dǎo)電表面,減少表面充電。金屬鍍覆可以通過(guò)真空蒸鍍、濺射等方法實(shí)現(xiàn),常用的金屬包括金、銀、銅等。

樣品處理:在樣品制備過(guò)程中,可以采取一些樣品處理方法來(lái)減少表面充電,如在樣品表面沉積一層導(dǎo)電性材料、去除表面吸附的水分或有機(jī)物等。

低電壓成像:降低掃描電鏡的加速電壓可以減少對(duì)樣品的電子束轟擊,從而減少樣品表面的充電現(xiàn)象。但是需要注意的是,降低加速電壓會(huì)降低分辨率和信噪比。

使用低電流模式:在掃描電鏡成像中選擇較低的電子束電流模式,可以減少對(duì)樣品表面的電子束轟擊,從而減少表面充電現(xiàn)象。

地線接地:確保掃描電鏡和樣品支架的地線連接良好,使電荷能夠及時(shí)地通過(guò)地線排放到地面,減少表面充電。

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作者:澤攸科技


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