如何在掃描電鏡中進(jìn)行晶體取向的EBSD分析?
日期:2024-10-23
在掃描電子顯微鏡 (SEM) 中進(jìn)行晶體取向的電子背散射衍射 (EBSD) 分析是研究材料晶體結(jié)構(gòu)和取向的常用技術(shù)。EBSD能夠?yàn)椴牧系木w結(jié)構(gòu)、晶粒取向、晶界特性等提供詳細(xì)的晶體學(xué)信息。以下是進(jìn)行EBSD分析的詳細(xì)步驟:
1. 樣品準(zhǔn)備
樣品表面的質(zhì)量對(duì)EBSD分析至關(guān)重要。良好的樣品表面能夠提高EBSD花樣的質(zhì)量。
樣品表面要求:
機(jī)械拋光和電解拋光:樣品表面應(yīng)當(dāng)盡可能平滑和清潔,拋光減少表面粗糙度和殘余應(yīng)力。
去氧化層和污染物:樣品應(yīng)進(jìn)行清洗,去除氧化層、污染物或有機(jī)物。
傾斜角度:將樣品傾斜約70度以增加背散射電子的產(chǎn)量,確保EBSD花樣清晰。
2. 選擇合適的SEM設(shè)置
為了獲得高質(zhì)量的EBSD信號(hào),需要選擇合適的SEM參數(shù)。
SEM參數(shù)設(shè)置:
加速電壓:通常在15-30 kV范圍內(nèi),較高的加速電壓有助于激發(fā)更多的背散射電子,產(chǎn)生清晰的EBSD花樣。
束流電流:較大的束流電流能夠增強(qiáng)信號(hào)強(qiáng)度,通常選擇1-10 nA的束流。
工作距離 (WD):根據(jù)SEM和EBSD探頭的設(shè)置,通常需要將工作距離設(shè)置在15-25 mm之間,以確保探頭能捕捉到足夠的背散射電子。
樣品傾角:將樣品傾斜70度相對(duì)電子束,使更多的背散射電子被EBSD探頭檢測(cè)到。
3. EBSD系統(tǒng)設(shè)置
EBSD系統(tǒng)包括背散射電子探測(cè)器和專用的軟件系統(tǒng)。
探頭和檢測(cè)器設(shè)置:
熒光屏探頭:EBSD探頭通常是一個(gè)熒光屏,背散射電子撞擊屏幕產(chǎn)生EBSD花樣,這些花樣通過相機(jī)捕捉。
相機(jī)設(shè)置:使用高幀速率相機(jī),并調(diào)整相機(jī)的曝光時(shí)間和增益以優(yōu)化花樣的質(zhì)量。
軟件設(shè)置:
晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫:加載適用于樣品材料的晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫,便于自動(dòng)索引EBSD花樣并進(jìn)行取向分析。
花樣索引:EBSD軟件通過自動(dòng)索引檢測(cè)到的衍射花樣來確定每個(gè)晶粒的取向。通常,軟件使用霍夫變換識(shí)別衍射帶的方向并與晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫匹配。
4. 數(shù)據(jù)采集
開始數(shù)據(jù)采集時(shí),使用EBSD系統(tǒng)自動(dòng)掃描樣品表面,記錄每個(gè)晶粒的EBSD花樣并進(jìn)行索引。
采集設(shè)置:
步長(zhǎng):根據(jù)樣品晶粒大小選擇合適的步長(zhǎng),較小的晶粒需要較小的步長(zhǎng)以確保取向信息的準(zhǔn)確性。通常步長(zhǎng)在0.1到2微米之間。
掃描區(qū)域:選擇感興趣的區(qū)域進(jìn)行EBSD掃描,軟件可以生成相應(yīng)的EBSD圖譜。
數(shù)據(jù)輸出:
取向映射(Orientation Mapping):通過EBSD數(shù)據(jù),軟件可以生成晶粒取向圖。每個(gè)像素代表一個(gè)晶粒的取向,圖中的顏色編碼表示不同的晶粒取向。
逆極圖(Inverse Pole Figure, IPF):根據(jù)測(cè)得的晶體取向生成逆極圖,顯示樣品晶體在特定方向上的取向分布。
晶界分析:通過EBSD數(shù)據(jù)可以檢測(cè)晶界,包括高角度晶界和低角度晶界,并評(píng)估晶界特性(例如晶界角度、晶界能量)。
5. 數(shù)據(jù)后處理
采集完成后,可以使用EBSD軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)后處理,提取更多信息。
后處理步驟:
誤差校正:應(yīng)用合適的校正算法,校正由樣品傾斜或設(shè)備導(dǎo)致的測(cè)量誤差。
晶界分析:進(jìn)行晶界的分類和統(tǒng)計(jì)分析,確定晶界的種類,如孿晶界、位錯(cuò)等。
織構(gòu)分析:通過數(shù)據(jù)分析晶粒取向的分布,生成織構(gòu)圖,評(píng)估樣品的取向偏好。
6. 典型結(jié)果
晶粒取向圖:顯示樣品晶粒的取向,每種顏色代表不同的晶體取向。
極圖(Pole Figure):顯示晶粒取向在不同方向上的分布。
反極圖(Inverse Pole Figure):表示某一特定方向上的晶體取向。
7. 晶體缺陷和應(yīng)力分析
EBSD不僅可以分析晶粒取向,還可以用于研究晶體缺陷和應(yīng)力,如位錯(cuò)、變形織構(gòu)等。通過分析衍射花樣的扭曲和變化,可以提取樣品的殘余應(yīng)力分布信息。
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作者:澤攸科技