PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統
日期:2019-09-29
透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統是在標配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實現低溫電學測量或全溫區(qū)測量功能。
性能指標
透射電子顯微鏡指標:
● 兼容指定型號電鏡及極靴;
● 單傾可選高傾角版本;
● 可選雙傾版本,β角傾轉±25°(同時受限于極靴);
● 測量電極數可選。
電學測量指標:
● 包含一個電流電壓測試單元;
● 電壓輸出最大±200 V,最小±100 nV;
● 電流測量最大±1.5 A,最小100 fA;
● 恒壓或者恒流模式;
● 自動電流-電壓(I-V)測量、電流-時間(I-t)測量,自動保存。
低溫指標:
● 兼容MEMS加熱及電學芯片;
● 全溫區(qū)測量,溫度范圍:85 K- 380 K;
● 控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1 K;
● 溫度連續(xù)可控。
以上就是澤攸科技對PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統的介紹,關于整套系統價格請咨詢18817557412(微信同號)
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作者:小攸