電子束光刻機(jī)
電子束光刻機(jī) 澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)(EBL)采用場(chǎng)發(fā)射電子 槍,配合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨光刻。
澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)(EBL)采用場(chǎng)發(fā)射電子槍,配合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨光刻。該系統(tǒng)標(biāo)配高精度激光干涉樣品臺(tái),允許用戶實(shí)現(xiàn)大行程高精度拼接和套刻需求,在新材料、前沿物理研究、半導(dǎo)體、微電子、光子、量子研究領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
產(chǎn)品特色
▲ 激光干涉樣品臺(tái):先進(jìn)的激光干涉樣品臺(tái),滿足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 場(chǎng)發(fā)射電子槍:高分辨場(chǎng)發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證
▲ 圖形發(fā)生器:在保證超高速掃描的同時(shí)實(shí)現(xiàn)超高分辨率圖案繪制
樣品臺(tái)指標(biāo)
▲ 標(biāo)配:激光干涉樣品臺(tái)
▲ 樣品臺(tái)行程:≥105 mm
▲ 拼接精度:優(yōu)于50nm(平均值+ 1σ)
▲ 套刻精度:優(yōu)于50nm(平均值+ 1σ)
電子槍及成像指標(biāo)
▲ 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍:加速電壓20V~30kV;旁側(cè)二次電子探測(cè)器和鏡筒內(nèi)電子探測(cè)器
▲ 圖像分辨率:≤1 nm @ 15 kV;≤1.5 nm @ 1 kV
▲ 束流密度:> 7000A/cm2;電子束流≥100nA
▲ 最小束斑尺寸:≤2nm
光刻指標(biāo)
▲ 電子束閘:上升沿<100ns
▲ 寫視場(chǎng):≥500×500 um
▲ 最小單次曝光線寬:<15nm(同時(shí)取決于工藝條件)
▲ 掃描速度:≥20MHz
圖形發(fā)生器參數(shù)
▲ 控制核心:高性能FPGA
▲ 停留時(shí)間最小增量:10ns
▲ 最大掃描速度:50MHz
▲ 圖形文件格式:GDSII、DXF、BMP等
▲ D/A分辨率:20位
▲ 法拉第杯束流測(cè)量:包含
▲ 支持的寫場(chǎng)大?。?0um~500um
▲ 臨近效應(yīng)校正:可選項(xiàng)
▲ 束閘支持:5V TTL
▲ 激光干涉位移臺(tái):可選項(xiàng)
▲ 掃描方式:順序掃描(Z型)、循環(huán)掃描(S型)、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式
▲ 曝光模式:支持場(chǎng)校準(zhǔn)、場(chǎng)拼接,支持套刻,支持多圖層自動(dòng)曝光
▲ 外接通道支持:支持電子束掃描、工件臺(tái)移動(dòng)、束閘通斷、二次電子檢測(cè)
選配附件
▲ 配套UPS不間斷電源
▲ 配套主動(dòng)減震臺(tái),最低自然頻率2Hz
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